삼성·SK, 반도체 초격차 ‘최고 속도·최대 용량’으로 이어간다
작성자 : tychung1 분류 : 지능형 센서 및 반도체 | 공통 작성일 : 2021.12.20 08:36:56 추천 : 0 조회 : 251 키워드 : 메모리,반도체
삼성, 가장 세밀한 14나노급 D램 선보여
자동차 SSD·메모리도 격차 벌려
SK하이닉스, DDR5 이어 최대 용량 D램 발표
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D램과 관련된 온갖 부정적 전망에도 메모리 반도체 시장 세계 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉
스 등 K반도체가 초격차 기술로 난관을 뚫고 있다. 3위인 미국 마이크론과의 기술 격차를 더
욱 넓혀 차세대 메모리 반도체 경쟁에서도 확실한 비교우위에 서겠다는 게 이들의 전략이다.
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삼성전자는 최근 극자외선(EUV) 노광 공정을 적용한 업계 최선단(가장 미세한 회로를 뜻함)
14㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) D램 양산에 돌입했다.
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SK하이닉스는 미세공정과 함께 최대 용량에 집중하고 있다. 현재 D램 단일 칩으로는 업계 최
대인 24Gb DDR5의 샘플 제품을 출하했다. 이 제품은 고도의 대용량 데이터 처리가 필요한
클라우드 데이터센터와 고성능 서버에 활용된다. 현재 주로 사용되는 D램 용량은 8Gb, 16Gb
이다. SK하이닉스의 제품은 이보다 획기적으로 용량을 늘린 것으로 평가받는다.