드디어 삼성 '3나노'가 온다…'GAA'는 TSMC 추격의 발판이 될까
작성자 : tychung1 분류 : 지능형 센서 및 반도체 | 공통 작성일 : 2022.06.29 17:09:37 추천 : 0 조회 : 167 키워드 : 나노,반도체,파운드리
26일 업계에 따르면 삼성전자는 이번주 차세대 GAA 기술 기반의 3나노 반도체 공정 양산을
공식 발표할 예정이다. 삼성전자는 지난해 10월 파운드리 포럼에서 TSMC보다 빠른 올해 상
반기 안에 3나노 양산을 시작하겠다는 계획을 처음으로 공개했다.
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삼성전자만의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET™ 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나
노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소할 것으로 예상됐다.
실제 양산 과정에서 구체적인 수치는 달라질 수 있지만 전력효율과 성능이 전반적으로 개선되
는 건 분명하다.
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관건은 안정적인 수율(결함이 없는 합격품의 비율)의 확보다. 삼성전자는 2년 전 4나노 2세대
공정 개발 때와 마찬가지로 이번 3나노 양산을 앞두고도 수율 문제로 포기 혹은 연기한다는
관측에 시달렸다. 4나노 반도체의 수율 개선이 늦어져 주요 고객사가 이탈했다는 우려도 나왔
다.
https://n.news.naver.com/mnews/article/079/0003658146?sid=101